ابتكار الأدوات العلمية
التطور إلى مؤسسات من الدرجة الأولى
|
تفاصيل المنتج:
شروط الدفع والشحن:
|
| الدقة: | 3nm @ 30KV (SE) | تكبير: | التكبير السلبي: 6X ～ 300000X تكبير الشاشة: 12X ～ 600000X |
|---|---|---|---|
| مرحلة العينة: | مرحلة المحاور الخمسة | بندقية الكترون: | خرطوشة خيوط التنجستن المُسخنة ذات الكاثود المسبق |
| تسليط الضوء: | المجهر الإلكتروني,آلة sem |
||
SEM ، EM6900 Std ، خيوط التنغستن ، SE + BSE ، القرار 3nm @ 30KV (SE)
نظرًا لخبرة KYKY التي تزيد عن 60 عامًا في تصنيع SEM ، تدعم سلسلة EM بأكملها النظام القديم الذي تم تجديده وتخصيصه مثل SEM + ، مثل إعادة تشكيل الطباعة الحجرية بشعاع الإلكترون ، وترقية LaB6 ، والمتكاملة مع STM ، AFM ، مرحلة التسخين ؛ Cryo Stage ؛ مرحلة الشد ؛ Micro- نانو مناور وما إلى ذلك. يحتوي النظام أيضًا على واجهة متعددة في الغرفة لربط معظم كاشف التحليل في السوق
معيار EM6900 بأقصى دقة يمكن أن تحصل عليه من SEM من خيوط التنجستن ولديه أيضًا الكاشف الأكثر ملاءمة الذي يجمع SE + BSE ، مقارنةً بـ EM6200 ، فقد قام بترقية مرحلة العينة ، والهدف الذي تمت ترقيته أيضًا تحسين مسارات الفراغ الذي يكون ودودًا للعملاء الراغبين في القيام بذلك تحليل التمديد على أساس SEM خيوط التنجستن.
نظام تشغيل متعدد اللغات ، لوحة تحكم متكاملة ، يمكن للعميل التحكم في الوحدة بأكملها ببساطة باستخدام الماوس ولوحة المفاتيح ، وخطة شاملة لخدمة ما بعد البيع مع دعم فني مدى الحياة.
المزايا:
◆ دقة عالية
◆ قابل للترقية لاب6، مرحلة عينة ضخمة إلخ
◆ مخططات تعديل متعددة
◆ مجموعة كاملة من البرامج الآلية
◆ تكلفة صيانة منخفضة
تحديد:
| غرض | EM6900 Std التنغستن الشعيرة SEM | |
| الدقة | 3nm @ 30KV (SE) 6nm @ 30KV (BSE) | |
| تكبير | التكبير السلبي: 6X ～ 300000X تكبير الشاشة: 12X ～ 600000X | |
| بندقية الكترون | خرطوشة خيوط التنجستن المُسخنة ذات الكاثود المسبق | |
| تسريع الجهد | 0 ~ 30 كيلو فولت | |
| نظام العدسة | عدسة كهرومغناطيسية ثلاثية المستويات (عدسة مدببة) | |
| فتحة موضوعية | فتحة الموليبدينوم قابلة للتعديل خارج نظام الفراغ | |
| مرحلة العينة | مرحلة المحاور الخمسة | |
| السفر | X (تلقائي) | 0 ~ 80 ملم |
| نطاق | Y (تلقائي) | 0 ~ 60 ملم |
| Z (يدوي) | 0 ~ 50 ملم | |
| R (يدوي) | 360 درجة | |
| T (يدوي) | -5 درجة ~ 90 درجة | |
| أقصى قطر للعينة | 175 ملم | |
| كاشف | كاشف إلكترون ثانوي عالي الفراغ | |
| كاشف التشتت الخلفي لأربعة أشباه الموصلات | ||
| IR CCD | ||
| تعديل | ترقية المرحلة ؛ EBL ؛STM ؛AFM.مرحلة التسخينمرحلة البردمرحلة الشدمناور دقيق النانو ؛آلة طلاء SEM + ؛ SEM + ليزر | |
| مستلزمات | LaB6 ، كاشف الأشعة السينية (EDS) ، EBSD ، CL ، WDS ، آلة طلاء | |
| نظام الشفط | مضخات توربو الجزيئية ؛ مضخة دورانية | |
اتصل شخص: sales
الهاتف :: +8613810212935
